主要用途、功能及特点
该仪器是为解决微电子、光电子科研与生产中基片平整度及薄膜应力分布的测试而设计的。它通过测量每道工序前后基片面形的变化(变形)来测量曲率半径的变化及应力分布,从而计算薄膜应力。广泛应用于半导体器件工艺研究及质量控制,为改善半导体器件可靠性提供测试数据。
本仪器适用于测量Si、Ge、CaAs等半导体材料的基片平整度,以及氧化硅、氮化硅、铝等具有一定反光性能的薄膜的应力分布。
主要技术指标
测试硅片尺寸 2~4英寸
硅片曲率范围 |R|> 5米
测试精度 5%(在R=±8米处考核)
单片测试时间 3分钟/片
输出结果类型 面形、曲率分布、梯度分布和应力分布
图形显示功能 三维立体显示、二维伪彩色显示、统计数据表格
电源 AC 220(1±10%)V,50(1±5%)Hz
最大功耗 100W
外形尺寸 285mm×680mm×450mm
重量 ≤ 36kg